IR2153 параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питания

IR2153 параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питания

На основе микросхемы IR2153 и силовых IGBT транзисторов было сконструировано множество схем, таких как драйвер и генератор индукционного нагревателя, источник питания для катушки Тесла, DC-DC преобразователи, импульсные источники питания и так далее. А связка NGTB40N120FL2WG + IR2153 работают вместе как нельзя лучше, где IR2153 является драйвером задающим генератором импульсов, а пара биполярных транзисторов с изолированным затвором на 40А/1000В может обрабатывать большой ток нагрузки.

Схемы включения IR2153

IR2153 параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питанияПринципиальная схема включения IR2153 IR2153 параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питанияIR2153 схема электрическая БП IR2153 параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питанияСхема Теслы на IR2153

Если вы собираетесь повторить одну из этих схем вот архив с файлами печатных плат. Схема формирователя стробирующих импульсов для их управления работает от 15 В постоянного тока на транзисторы выходного каскада подаётся до 400 В напряжения.

IR2153 параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питанияIR2153 импульсный блок питания на плате

Кстати, IR2153 это улучшенная версия популярных микросхем IR2155 и IR2151, которая включает высоковольтный полумостовой драйвер затвора. IR2153 предоставляет больше возможностей и проще в использовании, чем предыдущие м/с. Тут имеется функция отключения, так что оба выхода формирователя стробирующих импульсов могут быть отключены с помощью низкого напряжения сигнала. Помехоустойчивость была значительно улучшена, как за счет снижения пиковых импульсов. Наконец, особое внимание было уделено максимально всесторонней защите от электростатических разрядов на всех выводах.

Особенности БП на IR2153

  • Питание нагрузки от 60 до 400 В DC
  • Напряжение питания драйвера 15 В DC
  • Частоты генерации 12 кГц 100 кГц
  • Скважность приблизительно 50%
  • Ручной потенциометр для установки частот

Технические характеристики микросхем и транзисторов

МИКРОСХЕМА Максимальное напряжение драйвера Напряжение питания старта Напряжение питания стопа Максимальный ток для зарядки затворов силовых транзисторов / время нарастания Максимальный ток для разрядки затворов силовых транзисторов / время спада Напряжение внутреннего стабилитрона
IR2151 600 V 7,79,2 V 7,48,9 V 100 mA / 80120 nS 210 mA / 4070 nS 14,416,8 V
IR2153 600 V 8,19,9 V 7,28,8 V НЕ УКАЗАНО / 80150 nS НЕ УКАЗАНО / 45100 nS 14,416,8 V
IR2155 600 V 7,79,2 V 7,48,1 V 210 mA / 80120 nS 420 mA / 4070 nS 14,416,8 V
ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ БП
НАИМЕН. НАПР. ТОК СОПР. МОЩНОСТЬ ЕМКОСТЬ

ЗАТВОРА
Qg

(ПРОИЗВ.)
СЕТЕВЫЕ (220 V)
IRFBC30 600V 3.6A 1.8 Ω 100W 660pF 1723nC (ST)
IRFBC40 600V 6.2A 1 Ω 125W 1300pF 3850nC (ST)
IRF740 400V 10A 0.48 Ω 125W 1400pF 3540nC (ST)
IRF840 500V 8A 0.85 Ω 125W 1300pF 3950nC (ST)
STP8NK80Z 800V 6A 1.3 Ω 140W 1300pF 46nC (ST)
STP10NK60Z 600V 10A 0.75 Ω 115W 1370pF 5070nC (ST)
STP14NK60Z 600V 13A 0.5 Ω 160W 2220pF 75nC (ST)
STP25NM50N 550V 22A 0.14 Ω 160W 2570pF 84nC (ST)
IRFB18N50K 500V 17A 0.26 Ω 220W 2830pF 120nC (IR)
SPA20N60C3 650V 20A 0.19 Ω 200W 2400pF 87114nC (IN)
STP17NK40Z 400V 15A 0.25 Ω 150W 1900pF 65nC (ST)
STP8NK80ZFP 800V 6A 1.3 Ω 30W 1300pF 46nC (ST)
STP10NK60FP 600V 10A 0.19 Ω 35W 1370pF 5070nC (ST)
STP14NK60FP 600V 13A 0.5 Ω 160W 2220pF 75nC (ST)
STP17NK40FP 400V 15A 0.25 Ω 150W 1900pF 65nC (ST)
STP20NM60FP 600V 20A 0.29 Ω 45W 1500pF 54nC (ST)
IRFP22N60K 600V 22A 0.24 Ω 370W 3570pF 150nC (IR)
IRFP32N50K 500V 32A 0.135 Ω 460W 5280pF 190nC (IR)
IRFPS37N50A 500V 36A 0.13 Ω 446W 5579pF 180nC (IR)
IRFPS43N50K 500V 47A 0.078 Ω 540W 8310pF 350nC (IR)
IRFP450 500V 14A 0.33 Ω 190W 2600pF 150nC (IR)

75nC (ST)
IRFP360 400V 23A 0.2 Ω 250W 4000pF 210nC (IR)
IRFP460 500V 20A 0.27 Ω 280W 4200pF 210nC (IR)
SPW20N60C3 650V 20A 0.19 Ω 200W 2400pF 87114nC (IN)
SPW35N60C3 650V 34A 0.1 Ω 310W 4500pF 150200nC (IN)
SPW47N60C3 650V 47A 0.07 Ω 415W 6800pF 252320nC (IN)
STW45NM50 550V 45A 0.1 Ω 417W 3700pF 87117nC (ST)

Возможные изменения

Частота колебаний генератора регулируется потенциометром и охватывает диапазон от 10 кГц до 100 кГц, скважность 50%.

IR2153 параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питанияГотовый БП на IR2153

Естественно и другие МОП-транзисторы или IGBT могут быть использованы в приведённых схемах. Не забывайте, что транзисторы требуют большого размера радиатор. Скачать даташит на IR2153 можно по ссылке.


1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Настройка смартфонов и гаджетов, оборудования и подключение Смарт ТВ, мобильные операторы