Samsung начала производство модулей на 512 ГБ для смартфонов

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.

Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS технологии обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи, что является в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.

Такие модули памяти будут использоваться  на флагманских смартфонах и планшетах. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Производитель отмечает, они вдвое выше плотностью прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Настройка смартфонов и гаджетов, оборудования и подключение Смарт ТВ, мобильные операторы